Исследовательский центр Smart Light Technology разработал новую технологию светодиодного освещения

Rensselaer Polytechnic Institute (RensselaerPolytechnicInstitute), исследовательский центр интеллектуального освещения, ранее объявил, что ему удалось использовать тот же нитрид галлия (GaN) для интеграции светодиодных и силовых транзисторов. Исследователи заявили, что новое поколение инноваций в области светодиодных технологий будет стучать в дверь, потому что это дешевле в производстве, более эффективны и новые функции и приложения, выходящие за пределы категории освещения.

Ядро нынешней светодиодной системы освещения изготовлено из светодиодных чипов из нитрида галлия, но многие внешние компоненты, такие как индукторы, конденсаторы, кремниевое межсоединение и проводка, все должны быть установлены или интегрированы в чип. Интеграция этих важных элементов крупноформатной пластины снова увеличит сложность дизайна освещения. Кроме того, сложный процесс сборки светодиодных осветительных систем довольно медленный, требует не только ручной работы, но и дорогостоящей цены.

Rensselaer Polytechnic Institute Electronic Computer and Systems Engineering Профессор T.PaulChow руководил исследованием, которое пытается использовать его в полной мере благодаря разработке GaN-вафельного производства компонентов для решения этих задач. Эти полностью интегрированные автономные светодиодные чипы упрощают изготовление, сборку и уменьшают шаги, необходимые для автоматизации. Кроме того, использование одного чипа, поэтому части могут также уменьшить скорость отказа, а также повысить энергоэффективность и экономическую эффективность, а также гибкость в дизайне освещения.

Чоу и исследовательские группы находятся непосредственно в транзисторах с высокой электронной подвижностью GaN (HEMT) в верхней части роста светодиодной структуры GaN. Они используют несколько видов базовых технологий для соединения двух регионов, создавая то, что они называют первым интегрированным в одном чипе GaN HEMT и независимыми от светодиодов компонентами. Компоненты, отмеченные в синих каменных подложках, выращенных, показывающие светоотдачу, оптическую плотность и стандартные компоненты светодиодов GaN, можно сравнить. Чоу сказал, что исследование по разработке новой эмиссии в интегральной схеме (светоизлучающая схема, LEIC) - очень важно.